[山西思而行]2023-2024学年高一年级期末联考(7月)化学答案

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经分析后，乙同学认为：再结合某一现象，可以确认发生了水解反应，该现象是按物质的量1：1加聚反应而成，该光刻胶的结构简式为(3)实验Ⅱ的目的是验证浪乙烷发生了消去反应，但实验中并米出现预期现象，(3)“光刻”是使用深紫外光来照射涂有光刻胶的基片表面，查阅资料得知，溴乙烷沸点为38.4℃，丙同学据此分析可能原因是通过曝光和显影过程，将掩膜上的图形复制到光刻胶上。●K丁同学针对该原因，在不改变试剂和反应温度的前提下，提出了改进方案，并观①紫外负型光刻胶常含有一N,曝光时会形成N,N测到预期现象。该政进方案是」的VSEPR模型为(4)卤代烃的取代反应和消去反应是竞争反应，其中有利于卤代烃消去反应发生的②光刻技术需要利用深紫外激光，我国是唯一掌超通过外部条件，除了较强的碱性外，还要求」（填“强极性”或“弱极性”)非线性光学品体变频来获得深紫外激光技术的国家。目试剂。前唯一实用化的晶体是氟代丽皱酸钾品体KBBF(KBBO,F),品胞如右图所(5)研究表明，除了外部条件，卤代烷的自身结构特点也决定了反应的趋向。伯卤示，其中钾原子已经给出，氧原子骆去。已知晶胞参数分别为anm和cnm,a=BR=Y=90°，图中代表氟原子的字母为」。已知品体的密度为pg·cm3,代烷(R一CH2一X)优先发生取代反应，叔卤代烷(R:C一X)优先发生消去KBBF的摩尔质量为Mg·mol-I,则阿伏伽德罗常数的值为(用含上述R字母的代数式表示)。反应（消去时遵从扎伊采夫规则：当有不同的消去趋向时，主妥生成物会是碳碳(4)“刻蚀”可能用到刻蚀剂氯硼酸铵(NHBF,),1 mol NH BF,中含有的配位键双键上取代基较多的烯烃)。数目为(设N为阿伏伽德罗常数的值)。结合上述信息，试分析预测：在中等温度下，NaOH一醇一水混合体系中，对(5)“离子注人”是在Si品体中掺杂不同种类的元素（常见的有B,P,Ga、As等），形Br发生反应的最主要有机产物的结构简式为成多电子的n型和缺电子的p型半导体（如下图所示），自由电子空19.(15分)芯片制造是人类工业文明的集大成，共有六个最为关键的步骤：沉积，光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注人和封装。M(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN,GaA3是制造芯片的新型半导体材料。Si品体n型多电子)型（缺电子）①GaN,GaAs的结构类似于金刚石，预测其塔点GaNGaAs(填">”则上图中M.N原子分别可以选择(填序号)或“<”)。a.B、Gab.P、Asc.P、Bd.Ga、As②GaAs被誉为“半导体贵族”，其品胞结构如图所示，晶胞参数为apm。2号原子(6)“封装”时，为了散热，常用金属外壳，用电子气理论解释金属导热性好的原因的分数坐标为1号原子和2号原子之间的距离为pm。01,1)OG0,0,0)(2)“光刻胶涂覆”时，用到的某光刻胶由降冰片烯(>》和马来酸酐(0￥0高二化学试卷第？页（共8页高二化学试卷第8页（共8页）