［开学考］九师联盟2022-2023学年高三教学质量检测（L）/物理试卷答案

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3、2023-2024九师联盟高三九月物理
4、九师联盟2023-2024学年高三8月质量检测物理
5、2024九师联盟物理
6、九师联盟2023-2024学年高三8月质量检测物理
7、九师联盟20242024高三10月质量检测物理答案
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9、九师联盟2023-2024高三10月质量检测物理答案
10、2023-2024九师联盟高三物理答案10月

2.(10分)半导体参杂是集成电路生产中最基础的工作，某公司开发的第一代晶圆掺杂机主要由三部分组成：离子发生器，控制器和标靶。简化模型如图所示，离子发生器产生电量为十q,质量为m的离子，以足够大速度o沿电场的中央轴线飞入电场；控制器由靠得很近的平行金属板A、B和相互靠近的两个电磁线圈构成（忽略边缘效应），极板A、B长为L1,间距为，加上电压时两板间的电场可当作匀强电场，两电磁线圈间的圆柱形磁场可以当作匀强磁场，磁感应强度与电流的关系B=kI,k为常数，匀强电场与（柱形）匀强磁场的中轴线互相垂直相交，磁场横截面的半径为；标靶是半径为R的单晶硅晶圆，并以晶圆圆心为坐标原点，建立Oxy正交坐标系。晶圆与匀强电场的中轴线垂直，与匀强磁场的中轴线平行，且与匀强电场中心和柱形匀强磁场中轴线的距离分别为L2和L3,其中R=√3L3。当UB=0,I=0时，离子恰好打到晶圆的(0,0)点。(1)当I=0,UB=U1时，离子恰好能打到(0，一R)点，求U1的值。(2)当UB=0,I=I1时，离子能打到点(R,0),求I1的值。2tan-(3)试导出离子打到晶圆上位置(x,y)与U4B和I的关系式。（提示：tan0=21-tan22晶圆【高三物理第8页（共8页）】·23-FX01C·